Die chemisch-mechanische Planarisierung von Silizium-Wafern ist ein wichtiger Schritt bei der Verarbeitung von mehrschichtigen ICs: es wird verwendet, um ICs mit Weniger als 5 μm Dick zu machen. Dieses Polieren verwendet eine Flüssigkeitsschlammung, die sehr feine Partikel enthält, um die Oberfläche des Silizium-Wafers zu planarisieren.
Die Gürstschicht befindet sich oben auf dem Wafer und wird zwischen den Wafer und ein flexibles, kreisförmiges Gerät gedrückt. Drehendes Pad, etwas ähnlich wie bei Verwendung eines Puffers zur Polierung des Finishs auf einem Auto.