System Speicher für Intel® Desktop-Mainboard DB65AL
System Speicherfunktionen
Das Mainboard verfügt über vier DIMM-Sockel und unterstützt die folgenden Speicherfunktionen:
- Zwei unabhängige Speicherkanäle mit Unterstützung für den Interleaved-Modus
- Unterstützung für nicht-ECC-, ungepufferte, einseitige oder doppelseitige DIMMs mit x8-Unternehmen
- 32 GB maximaler Gesamtsystem Speicher (mit 4-GB-Speichertechnik)
- Mindestgesamt-Systemspeicher: 1 GB mit 1-GB-x8-Modul
- Serial-Presence-Erkennung
- DDR3-1333-MHz-und DDR3-1066-MHz-SDRAM-DIMMs
Um vollständig mit allen geltenden DDR-SDRAM-Speicherspezifikationen kompatibel zu sein, sollte das Mainboard mit DIMMs ausgestattet sein, die die Datenstruktur der Serial Presence Detect (SPD) unterstützen. Auf diese Weise kann das BIOS die SPD-Daten lesen und den Chipsatz programmieren, um die Speichereinstellungen für eine optimale Leistung genau zu konfigurieren. Wenn kein SPD-Speicher installiert ist, versucht das BIOS, die Speichereinstellungen ordnungsgemäß zu konfigurieren, aber die Leistung und Zuverlässigkeit kann beeinträchtigt werden, oder die DIMMs funktionieren möglicherweise nicht unter der festgelegten Taktfrequenz.
1,5 v ist die empfohlene und standardmäßige Einstellung für die DDR3-Speicherspannung. Die anderen Speicher Spannungseinstellungen im BIOS-Setup-Programm werden nur zur Leistungsoptimierung bereitgestellt. Eine Änderung der Speicherspannung kann (i) die Stabilität des Systems und die Nutzungsdauer des Systems, des Speichers und des Prozessors verkürzen. (II) bewirken, dass der Prozessor und andere Systemkomponenten ausfallen; (III) zur Senkung der Systemleistung führen, (IV) zusätzliche Wärme oder andere Schäden verursachen, und (v) die Datenintegrität des Systems beeinträchtigen.
Intel hat den Betrieb des Prozessors außerhalb seiner Spezifikationen nicht getestet und gewährleistet keine Garantie. Weitere Informationen zur Prozessor Garantie finden Sie in den Garantieinformationen für den Prozessor.
Unterstützte Speicherkonfigurationen
| DIMM-Kapazität | Konfiguration | SDRAM-Dichte | SDRAM-Organisation (Vorderseite/Rückseite) | Anzahl der SDRAM-Geräte |
| 512 MB | Einseitig | 1 Gbit | 64 M x 16/leer | 4 |
| 1 GB | Einseitig | 1 Gbit | 128 M x 8/leer | 8 |
| 1 GB | Einseitig | 2 Gbit | 128 M x 16/leer | 4 |
| 2 GB | Beidseitig | 1 Gbit | 128 m x 8/128 m x 8 | 16 |
| 2 GB | Einseitig | 2 Gbit | 128 M x 16/leer | 8 |
| 4 GB | Beidseitig | 2 Gbit | 256 m x 8/256 m x 8 | 16 |
| 8 GB | Beidseitig | 4 Gbit | 512 m x 8/512 m x 8 | 16 |
Von Drittanbietern getesteter Speicher
In der nachstehenden Tabelle werden Teile aufgeführt, die während der Entwicklung Tests bestanden haben. Diese Teilenummern sind im gesamten Produktlebenszyklus möglicherweise nicht ohne weiteres verfügbar.
| Modulhersteller | Modul-Teilenummer | Modulgröße | Modul Geschwindigkeit | ECC oder nicht-ECC | Komponentenhersteller | Komponenten-Teilenummer |
| Hynix | HMT112U6BFR8C – G7 | 1 GB | 1066 MHz | Nicht-ECC | Hynix | HMT112U6BFR8C – G7 |
| Hynix | HMT112U6AFP8C – H9 | 1 GB | 1333 MHz | Nicht-ECC | Hynix | HMT112U6AFP8C – H9 |
| Hynix | HMT125U7AFP8C-G7T0 | 2 GB | 1066 MHz | Nicht-ECC | Hynix | HMT125U6AFP8C-G7T0 |
| Hynix | HMT125U6BFR8C – H9 | 2 GB | 1333 MHz | Nicht-ECC | Hynix | HMT125U6BFR8C – H9 |
| Hynix | HMT351U6AFR8C – G7 | 4 GB | 1066 MHz | Nicht-ECC | Hynix | HMT351U6AFR8C – G7 |
| Hynix | HMT351U6AFR8C – H9 | 4 GB | 1333 MHz | Nicht-ECC | Hynix | HMT351U6AFR8C – H9 |
| Micron | MT8JTF12864AY-1G1D1 | 1 GB | 1066 MHz | Nicht-ECC | Micron | MT8JTF12864AY-1G1D1 |
| Micron | MT8JTF12864AY-1G4D1 | 1 GB | 1333 MHz | Nicht-ECC | Micron | MT8JTF12864AY-1G4D1 |
| Micron | MT16JTF25664AY-1G1D1 | 2 GB | 1066 MHz | Nicht-ECC | Micron | MT16JTF25664AY-1G1D1 |
| Micron | MT16JTF25664AZ-1G4F1 | 2 GB | 1333 MHz | Nicht-ECC | Micron | MT16JTF25664AZ-1G4F1 |
| Micron | MT16JTF51264AZ-1G1D1 | 4 GB | 1066 MHz | Nicht-ECC | Micron | MT16JTF51264AZ-1G1D1 |
| Micron | MT16JTF51264AZ-1G4D | 4 GB | 1333 MHz | Nicht-ECC | Micron | MT16JTF51264AZ-1G4D |
| Samsung | M378B2873DZ1 – CF8 | 1 GB | 1066 MHz | Nicht-ECC | Samsung | M378B2873DZ1 – CF8 |
| Samsung | M378B2873EH1-CH9 | 1 GB | 1333 MHz | Nicht-ECC | Samsung | M378B2873EH1-CH9 |
| Samsung | M378B5673DZ1 – CF8 | 2 GB | 1066 MHz | Nicht-ECC | Samsung | M378B5673DZ1 – CF8 |
| Samsung | M378B5673DZ1-CH9 | 2 GB | 1333 MHz | Nicht-ECC | Samsung | M378B5673DZ1-CH9 |
| Samsung | M378B5273BH1 – CF8 | 4 GB | 1066 MHz | Nicht-ECC | Samsung | M378B5273BH1 – CF8 |
| Samsung | M378B5273BH1 – CF9 | 4 GB | 1333 MHz | Nicht-ECC | Samsung | M378B5273BH1 – CF9 |
