Intel® 22-nm-Technik

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Der weltweit erste dreidimensionale Transistor, der für die Massenfertigung geeignet ist.

3D, 22 nm: hohe Leistung und Energieeffizienz

2011 war Intel mit der Einführung einer völlig neuen Technologie für Mikroprozessoren branchenführend: 3D-Transistoren auf Basis der 22-nm-Technik.

Bislang waren Transistoren – die grundlegenden Bauelemente des Mikroprozessors – zweidimensional („Planartransistoren“). Der Intel® 3D-Tri-Gate-Transistor und die Massenproduktion dieser Halbleiter verändern die grundlegende Struktur von Computerchips gravierend. Der neue dreidimensionale Transistorkanal führte zu einer besseren Steuerfähigkeit des Transistors, maximalem Energiefluss im eingeschalteten Zustand (für höchste Leistung) und minimalem Energiefluss im ausgeschalteten Zustand (zur Vermeidung von Leckstrom).

Durch diese Transistoren konnte Intel die Vorherrschaft bei elektronischen Produkten allererster Güte sichern, angefangen bei schnellen Supercomputern bis hin zu extrem kleinen mobilen Handhelds.

Transistoren sind von grundlegender Bedeutung

Die Transistoren sind vor allem aufgrund ihrer Größe und Struktur optimal dafür geeignet, Endbenutzern die Vorteile des Moore‘schen Gesetzes zu bieten. Allgemein gilt: Je kleiner und effizienter ein Transistor ist, desto besser. Mit einer Reihe von Weltpremieren erzielt Intel auch weiterhin bei seiner Fertigungstechnik prognostizierbare Verkleinerungen: 45 nm mit High-k/Metallgate 2007; 32 nm im Jahr 2009; 22 nm mit dem weltweit ersten dreidimensionalen Transistor, der 2011 in Massenproduktion ging; und 14 nm mit der 2. Generation der 3D-Tri-Gate-Transistoren 2014.

Durch ständige Fortschritte in der Transistortechnik kann Intel immer leistungsfähigere Prozessoren mit herausragender Energieeffizienz konstruieren. Neue Prozessoren ermöglichen innovative Mikroarchitekturen, System-on-Chip-Designs (SoC) und neue Produkte für unterschiedlichste Bereiche – angefangen bei Servern und PCs bis hin zu Smartphones und fortschrittlichen Verbraucherprodukten.

Erhalten Sie einen Einblick in die Produktion von 22-nm-Chips aus Silizium durch Intel

Dreidimensionale Transistoren

Beim 3D-Tri-Gate-Transistor von Intel dehnt sich der Halbleiter in Form einer Finne senkrecht zur Grundfläche aus und ist von drei Gate-Elektroden umgeben. Das Ergebnis ist eine nie zuvor erreichte Kombination aus hoher Leistung und niedrigem Energieverbrauch. Der neue Intel 3D-Tri-Gate-Transistor zeichnet sich durch seinen äußerst niedrigen Stromverbrauch und seine hohe Leistungsfähigkeit aus, die man sonst nur von High-End-Prozessoren kennt. Er eignet sich daher speziell für Handheld-Geräte wie Smartphones und Tablets.

Erfahren Sie mehr über die 22-nm-Transistortechnik von Intel ›

Intel® Core™ Prozessor der 3. Generation

Der Ende 2011 eingeführte Intel® Core™ Prozessor der 3. Generation war der erste Chip aus der Großserienfertigung, bei dem 3D-Transistoren zum Einsatz kamen.