Kapazität
1 TB
Status
Launched
Einführungsdatum
Q2'19
Einsatzbedingungen
PC/Client/Tablet

Leistungsbewertung

Sequenzielle Lesezugriffe (bis zu)
2400 MB/s
Sequenzielle Schreibzugriffe (bis zu)
1800 MB/s
Energieverbrauch – aktiv
5.8W
Leistungsaufnahme – inaktiv
L1.2 : <13mW

Zuverlässigkeit

In-Betrieb-Vibration
2.17 GRMS (5-700 Hz) Max
Vibrationen – außer Betrieb
3.13 GRMS (5-800 Hz) Max
Schocktoleranz (in Betrieb und außer Betrieb)
1000 G / 0.5 ms and 1500 G / 0.5 ms
Betriebstemperaturbereich
0°C to 70°C
Maximale Betriebstemperatur
70 °C
Minimale Betriebstemperatur
0 °C
Bewertung der Ausdauer (lebenslange Schreibzugriffe)
300 TBW
Mittlere Betriebsdauer bis zum Ausfall (MTBF)
1.6 Million Hours
Uncorrectable Bit Error Rate (UBER, nicht korrigierbare Bitfehlerrate)
< 1 sector per 10^15 bits read
Garantiezeit
5 yrs

Zusätzliche Informationen

Produktbeschreibung
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Beschreibung
Introducing the new Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage which combines two breakthrough technologies, Low-latency Intel® Optane™ technology and high-density Intel® QLC 3D NAND in a single M.2 2280 form factor.

Package-Spezifikationen

Gewicht
Less than 10 grams
Formfaktor
M.2 22 x 80mm
Schnittstelle
PCIe 3.0 x4, NVMe

Innovative technische Funktionen

Enhanced Power Loss Data Protection (erweiterter Datenschutz bei Stromausfall)
Ja
Temperatur-überwachung und -Protokollierung
Ja
End-to-End-Datenschutz
Ja
Intel® Rapid-Start-Technik
Ja