Von der Cloud inspiriert. Leistungsoptimiert.

Diese Produktreihe erfüllt die heutigen Anforderungen von Rechenzentren hinsichtlich Leistung, Verwaltbarkeit und I/O bei einer Vielzahl von Aufgaben.

Die Intel® SSD D7-P5510 nutzt die Intel® 144-Layer-TLC-3D-NAND-Technik für optimierte Leistung und Kapazität für All-Flash-Arrays und wurde speziell für Verbesserungen der IT-Effizienz und Datensicherheit konzipiert. Die Intel SSD D7-P5510 verfügt über einen Intel PCIe 4.0 Controller und Firmware, die in Enterprise- und Cloud-Umgebungen für geringe Latenz, verbesserte Verwaltungsfunktionen und Skalierbarkeit sorgt sowie wichtige neue NVMe-Funktionen bereitstellt.

Diese SSDs im U.2-15-mm-Format gibt es mit 3,84 TB und 7,68 TB. Die Lebensdauer („Write Endurance“) beträgt bis zu 1 DWPD (Drive Writes per Day).

Leistung verbessern mit geringerer Latenz

Die Intel SSD D7-P5510 bietet vorhersehbar hohe Leistung und Geschwindigkeit und kann All-Flash-Arrays signifikant beschleunigen. Im Vergleich zum Intel SSD der vorherigen Generation ermöglicht das leistungsoptimierte D7-P5510 bis zu 2-mal höhere Leistung beim sequentiellen Lesen,1 50 % geringere Latenz2 und eine Steigerung von 50 % bei gemischten IOPS-Workloads (70 % Lesevorgänge, 30 % Schreibvorgänge)3.

Eine neue TRIM-Architektur bietet zusätzliche Leistungsverbesserungen bei praxisorientierten Aufgaben, die „Dataset Management“-Befehle nutzen. Die optimierte TRIM-Architektur läuft jetzt als Hintergrundprozess, ohne dabei die Workloads zu behindern, wodurch Leistung und Dienstgüte während gleichzeitiger TRIMs verbessert werden. Der TRIM-Prozess wird mit einem reduzierten Write-Amplification-Faktor verbessert, was dazu beiträgt, dass Datenträger ihr Langlebigkeitsziel erreichen.

Firmware-Verbesserungen für die Datenträgerleistung, IT-Effizienz, Datensicherheit und Verwaltbarkeit

Die Intel SSD D7-P5510 umfasst zahlreiche Firmware-Erweiterungen, die speziell dafür ausgelegt sind, die IT-Effizienz und Datensicherheit in einer zunehmend datenzentrierten Welt zu verbessern.

Die Nutzung mehrerer dynamischer Namespaces verbessert das Runtime Provisioning und die Datenspeicherverwaltung. Überbereitstellungs-Laufwerke mit einzelnen kleineren Namespaces verbessern die Langlebigkeit und die Leistung bei wahlfreien Schreibzugriffen.4

  • Unterstützung für das erweiterte LBA-Format bietet Flexibilität für das Hosting von Software, um Metadaten und schützende Informationen gemeinsam mit Nutzdaten zu übertragen. Die Intel SSD D7-P5510 unterstützt VSS mit folgenden Sektorgrößen: 512/520/4096/4104/4160 Byte.
  • Die Scatter/Gather List (SGL) verbessert die Leistung, indem sie die Notwendigkeit der Datenausrichtung auf dem Host überflüssig macht.
  • Verbessertes SMART-Monitoring, das mithilfe eines In-Band-Mechanismus und einer Out-of-Band-Zugangsfunktion den Zustand der Laufwerke anzeigt, ohne den I/O-Datenfluss zu stören.
  • Der Geräteselbsttest verbessert die Erfahrungswerte für Kunden, indem er sicherstellt, dass die Geräte wie erwartet funktionieren. Das Hostsystem kann anfordern, dass das Datenspeichergerät (SSD) Tests durchführt, um die ordnungsgemäße Funktionsfähigkeit sicherzustellen, einschließlich SMART-Check, Backups für flüchtigen Speicher, NVM-Integrität und Produktlebenszyklus des Datenträgers.
  • Mithilfe von Telemetrie wird ein breites Spektrum gespeicherter Daten zugänglich gemacht. Die Funktionalität umfasst intelligente Fehlerverfolgung und -protokollierung. Dies erhöht die Zuverlässigkeit beim Auffinden und Vermeiden von Problemen und unterstützt beschleunigte Qualifikationszyklen, was insgesamt die IT-Effizienz steigert.
  • Zusätzliche Sicherheitsfunktionen wie TCG Opal 2.0, Configurable Namespace Locking, Sanitize NVM und Format NVM werden ebenfalls unterstützt.
  • Ein Power-Loss-Imminent-Schutzmechanismus (PLI) mit integrierter Selbsttestfunktion schützt vor Datenverlust, falls die Energieversorgung des Systems plötzlich ausfällt. In Verbindung mit einem führenden End-to-End-Datenpfad-Schutzmechanismus5 ermöglichen die PLI-Funktionen zudem eine einfache Bereitstellung innerhalb robuster Rechenzentren, in denen Datenbeschädigungen aufgrund von Funktionsstörungen auf Systemebene nicht toleriert werden.

Führungsposition bei NAND-Technik

Intels 144-Layer-3D-NAND-Technik bietet führende Merkmale für Speicherdichte6 und Datenspeicherung,7 die es Unternehmenskunden ermöglichen, Speicher-Arrays zuversichtlich zu skalieren, um wachsenden Anforderungen gerecht zu werden. Die rasche Einführung von softwaredefinierten und hyperkonvergenten Infrastrukturen verstärkt die Notwendigkeit, die Effizienz zu maximieren, bereits vorhandene Hardware auf neue Weise zu nutzen und die Agilität der Server zu steigern – und das alles unter Beibehaltung der Betriebssicherheit.

Führende Hersteller von Unternehmensservern reagieren auf diese Neuerungen, indem sie PCIe/NVMe-basierte SSDs mit skalierbarer Leistung, geringer Latenz und kontinuierlicher Innovation in hohem Maße einführen. Die Erfüllung der Anforderungen stetig steigender I/O-intensiver Workloads, darunter KI und Datenanalyse, ist zu einem Kernbestandteil jeder Unternehmensstrategie geworden.

Funktionen auf einen Blick

Modell Intel® SSD D7-P5510
Kapazität und Formfaktor U.2, 15 mm: 3,84 TB, 7,68 TB
Schnittstelle PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3c
Medien Intel® 3D-NAND-Technik, 144 Layer, TLC
Leistung Sequenzielle 128-KB-Lese-/Schreibzugriffe mit bis zu 7.000/4.194 MB/s
Wahlfreie 4-KB-Lese-/Schreibzugriffe mit bis zu 930.000/190.000 IOPS
Lebensdauer 1 DWPD (bis zu 14 PBW)
Zuverlässigkeit

UBER: 1 Sektor pro 1017 gelesenen Bits

MTBF: 2 Millionen Stunden

Leistungsaufnahme

Max. Durchschnitt bei aktiven Schreibvorgängen: 18 W

Inaktiv: 5 W

Garantie Beschränkte 5-Jahres-Garantie

Datenspeicherinfrastruktur für KI

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Hinweise und Disclaimer8

Konfiguration für Fußnoten 1 – 3: Test- und Systemkonfiguration: Mainboard: Intel® Server-Mainboard S2600WFT, Version: R2208WFTZS, BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, Plattformarchitektur: x86_64, CPU: Intel® Xeon® Gold 6140 CPU mit 2,30 GHz, CPU-Sockel: 2, RAM-Kapazität: 32 GB, RAM-Modell: DDR4, Betriebssystemversion: centos-Release-7-5, Build-ID: 1804, Kernel: 4.14.74, NVMe-Treiber: Inbox, FIO-Version: 3.5, PCIe-4.0-Switch von Microsemi. Die SSDs P5510 und P5316 wurden auf der Firmware JCV10100 bzw. ACV10005 getestet.

Produkt- und Leistungsinformationen

1

Bis zu 2-mal bessere sequenzielle Leseleistung – der Anspruch basiert auf sequenziellen Lesezugriffen in Speicherarrays der Größe 128 kB bei einer Gegenüberstellung von Intel® SSD D7-P5510 (7,0 GB/s) und Intel® SSD DC P4510 (3,20 GB/s). Testdatum: Oktober 2020.

2

Bis zu 50 % bessere Latenz – der Anspruch basiert auf wahlfreien Zugriffen in 4-kB-Blöcken bei einem 75/25-Workload bei 6(9 s). Intel® SSD D7-5510 (1100us) hat eine um 50 % bessere Latenz als Intel® SSD DC P4510 (2539us). Testdatum: Oktober 2020.

3

Bis zu 55 % bessere gemischte Workload-IOPs – Anspruch basiert auf einer Gegenüberstellung von Intel® SSD D7-P5510, 7,684 TB 70/30 gemischte Workload mit 4-kB-Blöcken (400K) und Intel® SSD DC P4510, 8 TB (266K). Testdatum: Oktober 2020.

4

 Im folgenden Artikel erfahren Sie mehr über den Vorteil von Überbereitstellungs-Laufwerken mit einzelnen kleineren Namespaces: https://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/white-papers/over-provisioning-nand-based-ssds-better-endurance-whitepaper.pdf.

5

Quelle – Los Alamos. Laufwerke wurden an der Quelle getestet: Los Alamos Neutron Science Center, https://lansce.lanl.gov/facilities/wnr/index.php. Neutronenbeschleunigungsfaktor 10^6. Test wurde auf Single-Port-SSDs durchgeführt: Intel® SSD DC S3520, Intel® SSD DC P3520, Intel® SSD DC P3510, Intel® SSD DC P4500, Intel® SSD DC S4500, Intel® SSD DC P4800X, Intel® SSD D7-P55XX, Intel® SSD D7-P56XX, Samsung PM953, Samsung PM1725, Samsung PM961, Samsung PM863, Samsung PM963, Samsung 860DCT, Samsung PM883, Samsung PM983, Micron 7100, Micron 510DC, Micron 9100, Micron 5100, Micron 5200, HGST SN100, Seagate 1200.2, SanDisk CS ECO, Toshiba XGS, Toshiba Z6000 Laufwerke. Bei einer kumulativen Messzeit von > 5 Millionen Stunden wurde auf Intel Single-Port-Laufwerken keine schleichende Datenbeeinträchtigung gemessen. Die schleichende Datenbeeinträchtigung wird mithilfe von Neutronenstrahlen ermittelt und als Maß für die Effektivität des umfassenden Datenschutzes verwendet. Zu den Ursachen der Datenbeeinträchtigung in einem SSD-Controller zählen ionisierende Strahlung und SRAM-Instabilität. Schleichende Fehler wurden zur Laufzeit und nach dem Neustart eines „aufgehängten“ Laufwerks gemessen, indem die erwarteten Daten mit den tatsächlich vom Laufwerk eingehenden Daten verglichen wurden. Die Jahresrate der Datenbeeinträchtigung wurde auf Basis der Rate während beschleunigter Tests projiziert und durch die Strahlbeschleunigung dividiert (siehe JEDEC-Norm JESD89B/C).

6

Quelle: ISSCC 2015, J. Im; ISSCC 2017 R Yamashita; ISSCC 2017 C Kim; ISSCC 2018; H. Maejima; ISSCC 2019 C. Siau.

7

Die Messungen wurden an Komponenten von SSDs mit Floating-Gate- und Charge-Trapping-Speicher-Technik durchgeführt. Als Messplattform wurden Teradyne Magnum 2 Speicherprüfsysteme verwendet, die Programmierung wurde unter Verwendung von Zufallsmustern durchgeführt und die Spannen wurden mithilfe von Kundenbefehlen quantitativ bestimmt. Daten wurden im August 2019 gemessen.

8

Die Leistung variiert je nach Verwendung, Konfiguration und anderen Faktoren. Ausführliche Informationen erhalten Sie unter www.Intel.com/PerformanceIndex.

Die Leistungsergebnisse basieren auf Tests, die an den in den Konfigurationen angegebenen Daten durchgeführt wurden und spiegeln möglicherweise nicht alle öffentlich verfügbaren Updates wider. Weitere Konfigurationsdetails siehe Backup. Kein Produkt und keine Komponente bieten absolute Sicherheit.

Ihre Kosten und Ergebnisse können variieren.

Intel hat keinen Einfluss auf und keine Aufsicht über die Daten Dritter. Sie sollten andere Quellen heranziehen, um die Genauigkeit zu beurteilen.

Intel Technik kann geeignete Hardware, Software oder die Aktivierung von Diensten erfordern.