Intel beschleunigt Prozess- und Verpackungsinnovationen

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NEWS-HIGHLIGHTS

• Roadmap für Prozess- und Verpackungsinnovationen für die nächste Produktwellenentwicklung bis 2025 und darüber hinaus.
• Zwei bahnbrechende Prozesstechnologien: Die Transistor-Architektur von Intel seit über einem Jahrzehnt und PowerVia, eine branchenweit erste Lösung für die Energieversorgung auf der Rückseite.
• Mit Foveros Omni und Foveros Direct weiterhin führende Position im Bereich fortschrittlicher 3D-Verpackungsinnovationen.
• Neue Knotenbenennung zur Schaffung konsistenter Frameworks und genauerer Sicht auf Prozessknoten für Kunden und die Branche, während Intel die Angstrom-Ära der Halbleiter miterleben kann.
• Starke Dynamik für Intel Foundry Services (IFS) mit ersten Kundenankündigungen.

SANTA CLARA, Kalifornien, 26. Juli 2021 – Intel Corporation hat heute eine der detailliertsten Roadmaps für Prozess- und Verpackungstechnik, die das Unternehmen je bereitgestellt hat, präsentiert und eine Reihe grundlegender Innovationen präsentiert, die Produkte bis 2025 und darüber hinaus unterstützen werden. Neben der Ankündigung von TransistorFET, seiner ersten neuen Transistorarchitektur seit mehr als einem Jahrzehnt, und PowerVia, einer branchenersten neuen Backside-Power-Delivery-Methode, stellte das Unternehmen seine vorgesehene rasche Einführung einer extremen Lithographie (EUV) der nächsten Generation heraus, die auch als High Numerical Aperture (High NA) EUV bezeichnet wird. Intel ist in der Lage, das erste High NA EUV Produktionstool in der Branche zu erhalten.

"Aufbauend auf Intels fraglos führender Position im Bereich Advanced Packaging beschleunigen wir unsere Innovations-Roadmap, um sicherzustellen, dass wir bis 2025 auf einem eindeutigen Weg sind, die Leistungsführerschaft zu prozessieren", sagte Intel-CEO Pat Gelsinger während des globalen "Intel Accelerated" Webcast. "Wir nutzen unsere beispiellose Innovationspipeline, um technische Fortschritte vom Transistor bis zur Systemebene zu liefern. Solange das Periodensystem nicht ausgereizt ist, werden wir unser Streben nach dem Moore'schen Gesetz und unserem Weg zur Innovation mit der Magie des Siliziums unerbittlich verfolgen."

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Die Branche hat schon lange erkannt, dass die Nennung eines traditionellen Nanometer-basierten Prozessknotens 1997 nicht mehr mit der tatsächlichen Metrik für Gate-Länge übereinstimmt. Heute hat Intel eine neue Benennungsstruktur für seine Prozessknoten eingeführt und ein klares und konsistentes Framework geschaffen, um Kunden eine genauere Ansicht der Prozessknoten in der gesamten Branche zu bieten. Diese Klarheit ist mit der Einführung von Intel Foundry Services wichtiger denn je. "Die heute vorgestellten Innovationen werden nicht nur Intels Produkt-Roadmap ermöglichen; sie werden auch für unsere Foundry-Kunden von entscheidender Bedeutung sein", so Gelsinger. "Das Interesse an IFS war stark und ich freue mich sehr, dass wir heute unsere ersten beiden Hauptkunden angekündigt haben. IFS geht ins Rennen!"

Intel-Techniker beschrieben die folgende Roadmap mit den neuen Knotennamen und den Innovationen, die den einzelnen Knoten ermöglichen:

• Intel 7 liefert eine Steigerung der Leistung pro Watt um ca. 10 % bis 15 % im Vergleich zu Intel 10-nm-SuperFin, basierend auf Transistoroptimierungen von Chipsfet. Intel 7 wird 2021 in Produkten wie Alder Lake für Kunden und Sapphire Rapids für das Rechenzentrum vorgestellt, die voraussichtlich im ersten Quartal 2022 in Produktion sein werden.
• Intel 4 umfasst die EUV-Lithographie voll und ganz, um mit ultrakurztem Licht unglaublich kleine Funktionen zu drucken. Mit einer Steigerung der Leistung pro Watt um ca. 20 % sowie Flächenverbesserungen wird Intel 4 in der zweiten Hälfte des Jahres 2022 für Produkte, die 2023 ausgeliefert werden, produktionsbereit sein, einschließlich Meteor Lake für Kunden und Granite Rapids für das Rechenzentrum.
• Intel 3 nutzt weitere Optimierungen von FlossFET und erhöhte EUV, um eine Steigerung der Leistung pro Watt um ca. 18 % gegenüber Intel 4 sowie zusätzliche Bereichsverbesserungen zu erzielen. Intel 3 wird in der zweiten Jahreshälfte 2023 mit der Herstellung von Produkten beginnen.
• Intel 20A läutet die Angstrom-Ära mit zwei bahnbrechenden Technologien ein: Die Technik FürcfeT und PowerVia. TransistorFET, Intels Implementierung eines Gate-All-Around-Transistors, wird die erste neue Transistorarchitektur des Unternehmens sein, seit es 2011 Auf den Weg von FinnFeT brachte. Die Technik liefert schnellere Transistorwechselgeschwindigkeiten bei gleichzeitiger Erzielung des gleichen Laufwerksstroms wie mehrere Schrauben bei kleinerem Platzbedarf. PowerVia ist Intels einzigartige branchenweit erste Implementierung der Leistungsbereitstellung auf der Rückseite und optimiert die Signalübertragung, indem energiegesteuertes Routing auf der Vorderseite des Wafers eliminiert wird. Der Hochlauf von Intel 20A wird voraussichtlich 2024 sein. Das Unternehmen ist auch über die Möglichkeit einer Partnerschaft mit Ascii-Usa mit der Intel 20A Prozesstechnik gespannt.
• 2025 und darüber hinaus: Neben Intel 20A befindet sich Intel 18A bereits Anfang 2025 in der Entwicklung mit Raffinessen für "TransistorFET", die einen weiteren großen Sprung in der Transistorleistung ermöglichen. Intel arbeitet auch an der Definition, Erstellung und Bereitstellung von High NA EUV der nächsten Generation und erwartet, das erste Produktionstool in der Branche zu erhalten. Intel arbeitet eng mit ASML zusammen, um den Erfolg dieses Branchendurchbruchs über die aktuelle Generation von EUV hinaus zu gewährleisten.

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"Intel verfügt über eine lange Geschichte grundlegender Prozessinnovationen, die die Branche Sprung und Sprung nach vorn angetrieben haben", so Dr. Ann Kelleher, Senior Vice President und General Manager of Technology Development. "Wir führten den Übergang zu belastetem Silizium bei 90 nm, zu High-k-Metal-Technik bei 45 nm und zu Finnfet bei 22-nm-Technik. Mit zwei bahnbrechenden Innovationen wird Intel 20A ein weiterer Wendepunkt in der Prozesstechnik sein: "Die Technik von FpgaFET und PowerVia."

Mit Intels neuer IDM 2.0-Strategie wird die Verpackung immer wichtiger, um die Vorteile des Moore'schen Gesetzes zu realisieren. Intel kündigte an, dass AWS der erste Kunde sein wird, der IFS-Verpackungslösungen verwendet und gleichzeitig die folgenden Einblicke in die branchenführende fortschrittliche Verpackungs-Roadmap des Unternehmens bietet:

• EMIB ist weiterhin führend in der Branche als erste 2,5D-Embedded-Bridge-Lösung, mit Produkten, die seit 2017 ausgeliefert werden. Sapphire Rapids wird das erste Intel® Xeon® Rechenzentrumsprodukt sein, das im Volumen mit EMIB (Embedded Multi-Die Interconnect Bridge) versandt wird. Es wird auch das erste Gerät mit doppelter Abformgröße in der Branche sein, das fast die gleiche Leistung wie ein monolithisches Design bietet. Über Sapphire Rapids hinaus wird sich die nächste Generation von EMIB von einer 55-Mikron-Stößelung auf 45 Mikrometer bewegen.
• Foveros nutzt die Verpackungsfunktionen auf Wafer-Ebene, um eine erstklassige 3D-Stacking-Lösung zu bieten. Meteor Lake ist die zweite Generation der Implementierung von Foveros in einem Clientprodukt und verfügt über eine Unebenheit von 36 Mikrometern, Kacheln, die mehrere Technologieknoten umfassen, und einen Energiebereich für das Thermodesign von 5 bis 125 W.
• Foveros Omni setzt die nächste Generation Foveros Technologie ein, indem sie mit leistungsstarker 3D-Stacking-Technik für Die-to-Die-Interconnect und modulare Designs grenzenlose Flexibilität bietet. Foveros Omni ermöglicht die Die-Disaggregation, indem mehrere Top-Die-Tiles mit mehreren Basiskacheln über gemischte Fabrikknoten gemischt gemischt werden und wird voraussichtlich 2023 zur Volumenfertigung bereit sein.
• Foveros Direct verlagert sich auf direkte Kupfer-zu-Kupfer-Bindungen, um Verbindungen mit geringem Widerstand zu ermöglichen, und verschwommen die Grenzen zwischen dem Ende des Wafers und dem Beginn der Verpackung. Foveros Direct ermöglicht Bump-Pitches unter 10 Mikron, was eine Größensteigerung der Interconnect-Dichte für das 3D-Stacking ermöglicht und neue Konzepte für funktionelle Die-Partitionierung eröffnet, die zuvor unerreichbar waren. Foveros Direct ergänzt Foveros Omni und wird voraussichtlich 2023 bereit sein.

Die heute besprochenen Durchbrüche wurden in erster Linie in den Niederlassungen von Intel in Oregon und Arizona entwickelt, um die Rolle des Unternehmens als einziger führender Player in der Forschung und Entwicklung und Fertigung in den USA zu festigen. Darüber hinaus basieren die Innovationen auf einer engen Zusammenarbeit mit einem Technologieumfeld von Partnern in den USA und Europa. Tiefe Partnerschaften sind der Schlüssel, um grundlegende Innovationen vom Labor auf die Fertigung in hohem Umfang zu bringen. Intel verpflichtet sich zu Partnerschaften mit Regierungen, um Lieferketten zu stärken und die wirtschaftliche und nationale Sicherheit voranzutreiben.

Das Unternehmen schloss seinen Webcast, indem es weitere Details zu seiner Intel InnovatiON Veranstaltung bestätigt. Intel InnovatiON wird vom 27. bis 28. Oktober 2021 in San Francisco und online abgehalten. Weitere Informationen finden Sie auf der Intel ON-Website.

Weitere Informationen über Intels Prozess-Roadmap und die Benennung von Knoten finden Sie im Prozess-Datenblatt. Um sich eine Wiedergabe des aktuellen Webcasts anzusehen, besuchen Sie den Intel Newsroom oder intels Investor-Relations-Website.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Diese Pressemitteilung enthält zukunftsgerichtete Aussagen in Bezug auf Intels zukünftige Pläne und Erwartungen, einschließlich in Bezug auf Intels Prozess- und Verpackungstechnik-Roadmaps und -Zeitpläne; Innovation-Cadence; zukünftige Technik und Produkte sowie die erwarteten Vorteile und Verfügbarkeit solcher Technologie und Produkte, einschließlich PowerVia, FpgaFET, Foveros Omni und Foveros Direct Technologien, zukünftige Prozessknoten sowie andere Technologien und Produkte; Parität und Führung der Technologie; zukünftige Verwendung, Vorteile und Verfügbarkeit von EUV und anderen Fertigungstools; Erwartungen bezüglich Lieferanten, Partnern und Kunden; Intels Strategie; Fertigungspläne; Produktionserweiterung und Investitionspläne; und Pläne und Ziele im Zusammenhang mit dem Foundry-Geschäft von Intel. Solche Aussagen beinhalten eine Reihe von Risiken und Unsicherheiten. Worte wie "antizipieren", "erwarten", "vorhaben", "planen", "glauben", "suchen", "schätzen", "weiter" "können", "werden", "würden", "sollten", "könnten", "strategie", "Fortschritt", "Beschleunigen", "Pfad", "auf der Strecke", "Roadmap", "Pipeline", "Cadence", "Dynamik", "positioniert", "engagiert" und "liefern" und Abweichungen solcher Worte und ähnlichen Ausdrucksweisen sollen zukunftsorientierte Aussagen identifizieren. Aussagen, die sich auf Schätzungen, Prognosen, Projektionen und ungewisse Ereignisse oder Annahmen beziehen oder auf ihnen basieren, identifizieren auch zukunftsgerichtete Aussagen. Solche Aussagen beruhen auf den aktuellen Erwartungen des Managements und beinhalten viele Risiken und Ungewissheiten, die dazu führen könnten, dass sich die tatsächlichen Ergebnisse wesentlich von den in diesen zukunftsgerichteten Aussagen angegebenen oder implizierten Ergebnissen unterscheiden. Wichtige Faktoren, die dazu führen könnten, dass sich die tatsächlichen Ergebnisse wesentlich von den Erwartungen des Unternehmens unterscheiden, umfassen unter anderem Intels Nichterfüllung der erwarteten Vorteile seiner Strategie und Pläne; Änderungen der Pläne aufgrund von Geschäftlichen, wirtschaftlichen oder anderen Faktoren; von Wettbewerbern getroffene Maßnahmen, einschließlich Änderungen der Technologie-Roadmaps von Mitbewerbern; Veränderungen, die sich auf unsere Projektionen bezüglich unserer Technologie oder konkurrierender Technologie auswirken; Verzögerungen bei der Entwicklung oder Implementierung unserer zukünftigen Fertigungstechnologien oder das Versäumnis, die erwarteten Vorteile solcher Technologien zu realisieren, einschließlich erwarteter Leistungsverbesserungen und anderer Faktoren; Verzögerungen oder Änderungen beim Design oder der Einführung künftiger Produkte; Änderungen der Kundenanforderungen oder Pläne; Änderungen der technischen Trends; unsere Fähigkeit, schnell auf technische Entwicklungen zu reagieren; Verzögerungen, Änderungen von Plänen oder andere Unterbrechungen unter Einbeziehung von Fertigungswerkzeugen und anderen Lieferanten; und andere Faktoren, die in den Berichten von Intel dargelegt sind, die bei der Securities and Exchange Commission (SEC) eingereicht oder eingereicht wurden, einschließlich Intels neuesten Berichten auf Formular 10-K und Formular 10-Q, verfügbar auf der Investor-Relations-Website von Intel auf www.intc.com und auf der Website der SEC bei www.sec.gov. Intel übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung der in dieser Pressemitteilung gemachten Aussagen und schließt ausdrücklich keine Aktualisierung durch, sei es aufgrund neuer Informationen, neuer Entwicklungen oder anderweitig, es sei denn, die Offenlegung kann gesetzlich vorgeschrieben sein.

Alle Produkt- und Servicepläne, Roadmaps und Leistungswerte können ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Prozessleistungsparität und Führungserwartungen basieren auf Leistungs-pro-Watt-Projektionen. Die Leistung künftiger Knoten und andere Messdaten, einschließlich Leistung und Dichte, sind Projektionen und inhärent ungewiss.