Arbeits- und Massenspeicher im Rechenzentrum neu überdacht

Innovative neue Technik von Intel transformiert die Arbeits- und Massenspeicherhierarchie.

Für Rechenzentren steht viel auf dem Spiel

In Unternehmen, die ihre Systemarchitektur überdenken, verheißen riesige Datenmengen den Gewinn wertvoller Erkenntnisse und Innovationen. Aber Unternehmen, die ihre Architektur nicht umgestalten, werden alle Mühe haben, um nicht unter einer Lawine von Daten begraben zu werden.

Dieses Problem ist jedoch nicht auf die Speicherung von Rohdaten beschränkt. Damit Unternehmen wettbewerbsfähig bleiben, müssen sie all diese Daten schnell und kosteneffizient abrufen und verarbeiten, um geschäftliche Erkenntnisse zu gewinnen und um für Forschungszwecke, künstliche Intelligenz (KI) und andere Verwendungszwecke gerüstet zu sein. Um diesen Verarbeitungsgrad zu erreichen, sind sowohl Arbeits- als auch Massenspeicher nötig und Unternehmen haben Mühe damit, ihre hohen Kosten mit eingeschränkter Kapazität und Leistungseinschränkungen in Einklang zu bringen.

Wenn man bedenkt, dass unterschiedliche Aufgaben zudem unterschiedliche Typen von Arbeits- und Massenspeicher erfordern, wirkt die Herausforderung sogar noch entmutigender. Darüber hinaus werden eventuell mehrere Techniken gemeinsam eingesetzt, um den optimalen Kompromiss zwischen Kosten und Leistung zu erzielen.

Intel begegnet diesen Herausforderungen mit neuer Arbeits- und Massenspeichertechnik, die Unternehmen weitreichende Möglichkeiten für die Umgestaltung ihrer Rechenzentrumsarchitektur verschafft.

Lücken in der Arbeits-/Massenspeicherhierarchie

Traditionell gesehen unterliegen Arbeits- und Massenspeicherlösungen Einschränkungen im Bereich der Dichte, Leistung und Kosten. Diese Einschränkungen sind in den verschiedensten Organisationen – vom Einzelhandel über die öffentliche Hand bis zum Gesundheitswesen und dem Finanzsektor – eindeutig spürbar. So kommt es zum Beispiel vor, dass Cloud-Service-Provider (CSPs) bei wachsenden Datenmengen mit der Einhaltung von Service-Level-Agreements (SLAs) kämpfen. Finanzdienstleister können bei der schnellen Verarbeitung hoher Transaktionsvolumen in puncto Kapazität und Leistung an ihre Grenzen stoßen. Und große Unternehmen können mit den In-Memory-Analyseanforderungen aus Kunden-, Lager-, Social-Media- und Internet-of-Things(IoT)-Daten nicht mithalten – in erster Linie aufgrund der hohen Kosten und eingeschränkten Kapazität von dynamischem RAM (DRAM).

Um Daten effizient und effektiv zu verwalten, müssen Unternehmen die Infrastrukturkomponenten ermitteln, die am besten zu ihren Bedürfnissen und finanziellen Mitteln passen. Allerdings ist dies keine leichte Aufgabe, denn hat jede Technik in der Hierarchie ihre Stärken und Schwächen:

  • DRAM spielt im Leistungsbereiche seine Trümpfe aus, ist aber teuer, flüchtig und nur bedingt skalierbar.
  • Flash-Speicher (NAND) ist zwar nichtflüchtig und günstiger als DRAM, kann aber in puncto Leistung mit DRAM nicht mithalten.
  • Rotierende Festplatten bieten enorme Speicherkapazität zu den geringsten Kosten, aber physische Platten verursachen hinsichtlich Zuverlässigkeit, Platzbedarf und Kühl- und Energieanforderungen weithin bekannte Probleme bei den Gesamtbetriebskosten (TCO).

Insgesamt gehen diese traditionellen Speicherlösungen mit deutlichen Lücken im Arbeits- und Massenspeicherkontinuum des Rechenzentrums einher und hemmen die Leistung von Anwendungen. Kontinuierlich wachsende Datenmengen und die Notwendigkeit, mehr Daten schneller abzurufen, haben das Problem zusätzlich verstärkt. 

Für Organisationen, die ihre Rechenzentren transformieren wollen, sind vor allem zwei Arbeitsspeicher- und Massenspeicherlücken vorherrschend:

  • Zwischen kostspieligem DRAM mit geringer Kapazität und erschwinglicheren NAND-basierten Solid-State-Laufwerken (SSDs)
  • Zwischen langsameren NAND-SSDs und kostengünstigeren, aber weniger zuverlässigen Festplatten

Organisationen haben keine brauchbaren Alternativen, die ein Gleichgewicht zwischen Kosten, Kapazität und Leistung bieten und diese Lücken schließen – bislang (siehe Abb. 1).

Abbildung 1: Das traditionelle Arbeits- und Massenspeicherkontinuum weist im Bereich der Kapazität, Kosten und Leistung enorme Lücken auf.

Mit Intel® Technik die Lücken schließen

Mit Lösungen, die für hohe Leistung, Kapazität und Zuverlässigkeit ausgelegt sind, beseitigt Intel die Arbeits- und Massenspeicherlücken im Rechenzentrum. Diese Lösungen überzeugen mit geringer Latenz und einem größeren operativen Nutzen als herkömmliche Alternativen. Insbesondere drei Produktfamilien sind speziell dafür ausgelegt, im Rechenzentrum die Lücken zwischen Kosten und Leistung mit Flexibilität für neue Datenebenen zu schließen:

  • Persistenter Intel® Optane™ DC Speicher ist eine neue Klasse von Speichertechnik, die mit hoher Kapazität, tragbaren Kosten und nichtflüchtiger Speicherung punktet. Indem größere Datenmengen näher zum Prozessor verschoben und dort bereitgehalten werden, können Aufgaben und Dienste durch geringere Latenzen und höhere Leistung optimiert werden.
  • Intel® Optane™ DC SSDs kombinieren Eigenschaften von Arbeits- und Massenspeicher mit hohem Datendurchsatz, geringer Latenz, hoher Dienstgüte (Quality of Service, QoS) und Langlebigkeit.
  • Intel® QLC-3D-NAND-SSDs, wie das Intel® SSD D5-P4320, bieten die zurzeit höchste Datendichte über Peripheral Component Interconnect Express* (PCIe*). Zudem macht ihr Preis diese SSDs zum idealen Ersatz für Festplatten, auf denen weniger häufig abgerufene Daten gespeichert werden.

Mit diesen innovativen Produkten können Organisationen ihre Rechenzentrumskonfiguration umgestalten, um moderne Aufgaben zu bewältigen und wettbewerbsfähig zu bleiben. Jedes Produkt wird unten ausführlich beschrieben, mit Praxisbeispielen der Leistungs-, Kapazitäts- und Kostenvorteile, die es bereitstellt.

Intel® Optane™ Technologie: Eine neue Ebene in der Datenhierarchie

Unternehmen müssen Lösungen in bislang unvorstellbarem Ausmaß überdenken, sich an neue Technik anpassen und ihren Betrieb weiterentwickeln, um die Bedürfnisse ihrer Kunden zu erfüllen. Die Intel® Optane™ Technologie ist eine neue, nichtflüchtige Speicherklasse, die auf der Intel® 3D XPoint™ Technik basiert. Sie modernisiert die bestehende Rechenzentrumsarchitektur durch eine neue Ebene in der Arbeits- und Massenspeicherhierarchie und schließt damit die Lücke zwischen leistungsstarkem flüchtigem Arbeitsspeicher und weniger leistungsfähigem, aber erschwinglichem NAND-Massenspeicher. Die Intel® Optane™ Technologie kombiniert auf einzigartige Weise geringe Latenz, hohe Dienstgüte (QoS), Langlebigkeit und hohen Datendurchsatz.

Abbildung 2. Die Intel® Optane™ Technologie kombiniert die Leistungsvorteile von DRAM mit den Kapazitätsvorteilen von NAND-SSDs.

Die Intel® Optane™ Technologie eignet sich ideal für „Arbeitsdaten“, die nahe an der CPU bereitstehen müssen, um schnell verfügbar zu sein. Bei Arbeitsdaten dreht sich alles um einen deutlich schnelleren Zugriff auf deutlich mehr Daten für Echtzeitanalysen, Finanztransaktionen, Flugreservierungen und andere Nutzungsszenarien, die vorhersehbar schnelle Reaktionszeiten benötigen – wenn die durchschnittliche Reaktionszeit nicht ausreicht. Vorhersehbare und gleichmäßige Leistungseigenschaften sind bei Arbeitsdaten schon ab den ersten Abfragen von Bedeutung.

Sowohl persistenter Intel® Optane™ DC Speicher als auch Intel® Optane™ DC SSDs basieren auf der Intel® Optane™ Technologie. Aber wie unten beschrieben haben sie ein unterschiedliches Format und können einzeln oder gemeinsam in Rechenzentren eingesetzt werden, um Unternehmen innovative neue Arbeits- und Massenspeicheroptionen bereitzustellen.

Persistenter Intel® Optane™ DC Speicher als Erweiterung oder Ersatz für kostspieligen DRAM

Der persistente Intel® Optane™ DC Speicher ist ein bahnbrechendes Produkt, das die Lücke zwischen DRAM und Intel® Optane™ DC SSDs schließt. Unternehmen, die auf In-Memory-Datenverarbeitung angewiesen sind, ebnet der persistente Intel® Optane™ DC Speicher den Weg für den Zugriff auf deutlich größere Mengen an „heißen“ Daten für KI, Analysen, High-Performance-Computing (HPC) und andere Nutzungszwecke.

Im Unterschied zu DRAM vereint der persistente Intel® Optane™ DC Speicher hohe Dichte, erschwingliche Kosten und nichtflüchtige Massenspeicherung. Durch finanziell tragbare Erweiterungen der Arbeitsspeicherkapazität (mehr als 3 TB pro CPU) können Unternehmen ihre Rechenzentrumsaufgaben besser optimieren, indem sie größere Datenmengen näher zum Prozessor verschieben und die hohe Latenz, die beim Datenzugriff auf herkömmliche nichtflüchtige Massenspeicherprodukte auftritt, auf ein Mindestmaß senken.

Persistenter Intel® Optane™ DC Speicher wird 2019 weithin verfügbar sein – gemeinsam mit der Einführung der skalierbaren Intel® Xeon® Plattform der nächsten Generation.

Abbildung 3: Nichtflüchtiger Optane DC Speicher (Speichermodul)

Intel® Optane™ SSD DC P4800X: Die Lösung für Arbeitsdaten im Rechenzentrum

Ein Intel® Optane™ SSD DC P4800X sieht zwar aus wie ein Standard-SSD, basiert aber auf der Intel® Optane™ Technik und ist daher nicht NAND-basiert. Die einzigartige Architektur des Intel® Optane™ SSD DC P4800X liefert bahnbrechende Leistung, die sowohl schneller als auch gleichmäßiger ist als bei NAND-basierten SSDs. NAND-SSDs haben im Allgemeinen hohe Lesegeschwindigkeiten, aber geringe Schreibgeschwindigkeiten, die bei Operationen mit hoher Frequenz sogar noch weiter sinken. Im Gegensatz dazu ist die Architektur von Intel® Optane™ DC SSDs dafür ausgelegt, Schreibvorgänge auf Byte- oder Seitenebene durchzuführen, wodurch die Geschwindigkeit steigt und die Leistung besser vorhersehbar ist – mit einem ausgewogeneren Verhältnis zwischen der Lese- und Schreibleistung. Zudem besteht kein Bedarf an automatischer Speicherbereinigung.

Das Intel® Optane™ SSD DC P4800X weist bei Schreibvorgängen unabhängig vom Schreibdurchsatz konsistente Reaktionszeiten auf. Die Grafik in Abbildung 4 zeigt, um wie viel geringer die Latenz eines Intel® Optane™ DC SSD im Vergleich zu einem aktuellen Intel® 3D-NAND-SSD ist, insbesondere wenn eine steigende Anzahl wahlfreier Schreibzugriffe den Druck auf das SSD erhöht. Im Unterschied zu NAND-basierten SSDs bleibt die Latenz von Intel® Optane™ DC SSDs bei allen Schreibzugriffen konsistent niedrig.1

Abbildung 4: Das Intel® Optane™ SSD DC P4800X bietet im Vergleich zu einem Intel® 3D-NAND-SSD gleichbleibend geringe Latenzzeiten.1

Durch die Kombination aus geringer, gleichbleibender Latenz und hoher Langlebigkeit lassen sich Intel® Optane™ DC SSDs im Vergleich zu NAND-basierten Lösungen wesentlich effizienter als Cache einsetzen.

Eine Untersuchung der Evaluator Group zeigte, welche Auswirkungen es hat, wenn auf Cache-Ebene eine rein auf Flash-Technik basierende Cache- und Massenspeicherlösung durch Intel® Optane™ DC SSDs ausgetauscht wird. Bei Tests, die mit dem IOmark-VM*-Benchmark gemessen wurden, konnte aufgezeigt werden, dass das Preis-Leistungs-Verhältnis eines Systems, in dem ein Prozessormodell der skalierbaren Intel® Xeon® Prozessorreihe und Intel® Optane™ SSDs der Produktreihe DC P4800X als Cache zum Einsatz kommen, bis zu 3-mal besser ist als bei Systemen und Massenspeichermedien der vorherigen Generation.2

Auch die Lebensdauer eines Intel® Optane™ SSD DC P4800X ist deutlich länger als bei NAND-basierten Laufwerken. So zeigt zum Beispiel ein Vergleich von zwei aktuellen SSDs bis zu 60 DWPD (Drive Writes per Day) für das Intel® Optane™ SSD DC P4800X und gerade einmal 3 DWPD für das NAND-basierte Intel® SSD DC P4600.3 Demzufolge sind Intel® Optane™ DC SSDs in Cache-Umgebungen mit hohem Datenverkehr deutlich langlebiger.

Persistenter Intel® Optane™ DC Speicher kann auch mit Intel® Optane™ DC SSDs kombiniert werden, um eine gänzlich neue und flexible Datenebene zu schaffen, die Arbeitsspeicher ähnlich ist (siehe Abbildung 5). Wertvolle Daten, die sich bei herkömmlichen Ansätzen auf langsamerem NAND-Massenspeicher befinden, können schnell abgerufen und genutzt werden.

Abbildung 5: Persistenter Intel® Optane™ DC Speicher kann mit Intel® Optane™ DC SSDs kombiniert werden, um eine gänzlich neue Ebene zu schaffen, die für „heiße“ Arbeitsdaten und „warme“ Kapazitätsdaten für In-Memory-Analysen genutzt werden kann. (rot = „heiße“ Daten, gelb = „warme“ Daten, blau = „kalte“ Daten)

Mit optimierter Software alle Leistungsvorteile der Intel® Optane™ Technologie nutzen

Durch die zusätzliche Verwendung von Intel® Optane™ DC SSDs in bestehenden Rechenzentren ergeben sich bereits deutliche Leistungsverbesserungen, aber Softwareoptimierungen können für Anwendungen, die auf der Intel® Optane™ Technologie laufen, noch bessere Ergebnisse erzielen. Insbesondere Open-Source-Software passt hervorragend zu Intel® Optane™ DC SSDs, da Entwickler Anwendungen anpassen können, damit diese die Vorteile des Intel® Optane™ SSD DC P4800X nutzen.

So optimierte zum Beispiel ein Performance-Architekt bei Oracle MySQL* für das Intel® Optane™ SSD DC P4800X, was bei intensiven Input/Output-Aufgaben (I/O) eine 5-fachen Leistungssteigerung zur Folge hatte. Darüber hinaus erzielte der Oracle-Architekt 1 Million Lesezugriffe auf einem einzelnen Intel® Optane™ DC SSD.4

Ein anderes Beispiel zeigte, dass Direct-I/O*-Optimierungen im Vergleich zu gepuffertem I/O bei Java 10* bis zu 48 Prozent mehr Effizienz bewirken.5 Diese Optimierungen haben bedeutsame Auswirkungen auf Organisationen, die Java-basierte KI-Aufgaben oder Datenbanken ausführen, zum Beispiel Cassandra* oder Apache HBase*.

Software-Architekten können bestehende Tools und Entwicklungskits verwenden, um die Leistung für die Intel® Optane™ Technologie zu optimieren. Die folgenden Ressourcen von Intel ermöglichen Ihnen einen guten Einstieg:

Speichererweiterung mit Intel® Memory-Drive-Technik

Intel® Optane™ DC SSDs lassen sich mithilfe der Intel® Memory-Drive-Technik auch als Speichererweiterung konfigurieren. Die Intel® Memory-Drive-Technik integriert ein SSD auf transparente Weise in das Arbeitsspeichersubsystem und lässt es wie DRAM erscheinen, ohne dass Änderungen am Betriebssystem oder den Anwendungen erforderlich sind. Die Intel® Memory-Drive-Technik kann eingesetzt werden, um einen Teil des DRAM zu ersetzen und die Gesamtspeicherkosten zu senken, oder um den Arbeitsspeicherbereich bei Bedarf über die DRAM-Kapazität hinaus zu vergrößern.

So ist zum Beispiel die Leistung von Apache Spark* durch das Hinzufügen der Intel® Memory-Drive-Technik-Software mit einem Intel® Optane™ SSD DC P4800X 5-mal schneller.4

Mit Intel® QLC-3D-NAND-SSDs die Lücke bei der Massenspeicherkapazität verkleinern

Da die Effizienz der NAND-Technik steigt und ihr Preis fällt, sinkt der Bedarf an mechanischen Laufwerken kontinuierlich. Der neueste Durchbruch – Intel® QLC-3D-NAND-SSDs – könnte dazu führen, dass rotierende Festplattenlaufwerke schon bald nur mehr für die kältesten Massenspeicherszenarien zum Einsatz kommen.

Intel® QLC-3D-NAND-SSDs sind dafür ausgelegt, die Zuverlässigkeit von Flash-Speicher mit höherer Dichte zu einem erschwinglichen Preis bereitzustellen. Diese Vorteile tragen dazu bei, die Hürden für den Austausch herkömmlicher Festplatten, die im Vergleich zu Flash-Laufwerken für gewöhnlich langsamer und weniger zuverlässiger sind, einen höheren Energieverbrauch und höhere Anforderungen an die Kühlung haben sowie mehr Platz benötigen, zu beseitigen.

Abbildung 6: Indem Unternehmen Festplatten durch Intel® QLC-3D-NAND-SSDs austauschen, können sie deutliche Einsparungen bei den Energie-, Kühl- und Wartungskosten erzielen und sie benötigen weniger Platz im Rechenzentrum.6 7

Intel® QLC-3D-NAND-SSDs lassen sich in Verbindung mit der Intel® Optane™ Technologie einsetzen, um die Geschwindigkeit häufig abgerufener Daten zu steigern und gleichzeitig die Kosten- und Kapazitätsvorteile der Flash-Technik im Vergleich zu Festplatten bei riesiger Massenspeicherkapazität zu nutzen. So können Unternehmen die Lücke im Bereich der Kosten und Kapazität von Massenspeicher zwischen Intel® Optane™ DC SSDs und Festplatten schließen. Und da Intel® QLC-3D-NAND-SSDs hohe Zuverlässigkeit mit erschwinglichen Kosten kombinieren, können viele Organisationen dieses SSDs als Ersatz für Festplatten nutzen.

Datenkonsolidierung mit innovativen neuen Formfaktoren von Intel

Intel schließt die Lücke im Bereich der Kosten und Kapazität von Massenspeicher auch mit innovativen neuen Formfaktoren. Das Siegerprodukt eines „Gold International Design Excellence Award“ 2018, Intels 3D-NAND-Linealformat („Ruler“) für SSDs, verbessert die Dichte, Verwaltbarkeit und Wartbarkeit in Verbindung mit einer effizienten Wärmeableitung, die die Serverarchitektur revolutioniert.

Aufgrund der einzigartigen Form und Eigenschaften des EDSFF-basierten Laufwerks sind Anbieter wie Supermicro* in der Lage, 32 Intel® „Lineal“-Laufwerke mit je 32 TB in einem einzelnen 1-HE-Server einzusetzen und damit pro Server bis zu 1 Petabyte an Datenkapazität bereitzustellen.8

Massenspeicher für Rechenzentren neu überdacht

Intel® Technik schließt die Lücken im Bereich des Arbeits- und Massenspeichers mit einer ganzen Reihe von Produkten – von nichtflüchtigem Intel® Optane™ DC Speicher und dem Intel® Optane™ SSD DC P4800X bis zu Intel® QLC-3D-NAND-SSDs und „Lineal“-Laufwerken mit hoher Kapazität. Mit diesem Produktportfolio verfügen Unternehmen über die nötigen Voraussetzungen, um riesige Datenmengen für Analyse-, KI-, HPC- und andere Aufgaben schnell und flexibel speichern, verarbeiten und verwalten zu können.

Intel® Massenspeicherprodukte verschaffen gemeinsam mit der entsprechenden Technik Rechenzentrumsarchitekten ausreichend Flexibilität, um die Leistung, Zuverlässigkeit und Kosten auf ihre geschäftlichen Anwendungen und Aufgaben abzustimmen. Die Zeit ist reif für einen neuen Denkansatz bei Arbeits- und Massenspeicher: mit Intel® Optane™ Technologie und Intel® QLC-3D-NAND-Technik.

Weitere Informationen

Modernisieren Sie Ihr Rechenzentrum mit Speichertechnik von Intel. Besuchen Sie intel.de/content/www/de/de/storage. Hier finden Sie alles, was Sie für Ihre ersten Schritte benötigen.

MEHR ÜBER DIE INTEL® OPTANE™ DC TECHNOLOGIE

Produkt- und Leistungsinformationen

1

Quelle: Intel-Tests – Die Antwortzeit bezieht sich auf die durchschnittliche Leselatenz, gemessen bei einer Queue-Tiefe (Queue Depth, QD) von 1 bei wahlfreien Schreibzugriffen mit 4-KB-Blöcken mit FIO 3.1. Siehe Konfiguration in Fußnote 1 oben.

2

Tests im Auftrag von Intel durch The Evaluator Group. Konfigurationsdetails siehe https://www.evaluatorgroup.com/document/lab-insight-latest-intel-technologies-power-new-performance-levels-vmware-vsan-2018-update/. Vorherige Konfiguration: Intel® Xeon® Prozessor E5-2699 v4, ESXi*: ESXi600-201803001 Build 7967764, Ubuntu Linux 18.04, BIOS: 2600WT SE5C610.86B.01.01.0024. Datenspeicher: 1 x Intel® SSD der Produktreihe DC S3700 (800 GB) + 6 x Intel® SSD der Produktreihe DC S3510 (1,6 TB). Leistung: 320 IOmark-VM, Preis-Leistungs-Verhältnis: 684 USD/VM; Aktuelle Konfiguration: Intel® Xeon® Gold-Prozessor 6154, ESXi*: ESXi600-8169922 Build 8169922, Ubuntu Linux 18.04, BIOS: SE5C620.86B.00.01.0013.030920180427. Datenspeicher: 2 x Intel® SSD der Produktreihe DC P4800X (375 GB) + 5 x Intel® SSD der Produktreihe DC P4500 (4 TB), Leistung: 1152 IOmark-VM, Preis-Leistungs-Verhältnis: 216 USD/VM. Datenspeicher: 1 x Intel® SSD der Produktreihe DC P3700 + 4 x Seagate 1TB-10K-Festplatte, Leistung: 88 IOmark VM-HC, Preis-Leistungs-Verhältnis: 2153 USD/IOmark-VM-HC. Aktuelle Konfiguration: Datenspeicher: 2 x Intel® SSD der Produktreihe DC P4800X + 4 x Intel® SSD der Produktreihe DC P4500, Leistung: 704 IOmark-VM-HC. Preis-Leistungs-Verhältnis: 684 USD/IOmark-VM-HC.** Preis-Leistungs-Verhältnis: 237 USD/IOmark-VM-HC. Die Leistungsergebnisse beruhen auf Tests vom 20. August 2018 und spiegeln möglicherweise nicht alle öffentlich verfügbaren Sicherheitsupdates wider. Weitere Einzelheiten finden Sie in den veröffentlichten Konfigurationsdaten.

3

Intel. Siehe Produktdaten in der Tabelle „Produktbeschreibung: Intel® Optane™ SSD DC P4800X”. https://www.intel.de/content/www/de/de/products/docs/memory-storage/solid-state-drives/data-center-ssds/optane-ssd-dc-p4800x-p4801x-brief.html.

4

Die Leistungsergebnisse beruhen auf Tests vom 20. September 2018 und spiegeln möglicherweise nicht alle öffentlich verfügbaren Sicherheitsupdates wider. Weitere Einzelheiten finden Sie in den veröffentlichten Konfigurationsdaten. Keine Komponente und kein Produkt kann absolut sicher sein. Quelle: Intel. Systemkonfiguration: Server: Intel® Serversystem, 2 x Intel® Xeon® Gold-Prozessor 6154, 384 GB DDR4-DRAM, Datenbanklaufwerke: 2 x Intel® Optane™ SSD der Produktreihe DC P4800X (375 GB) und 1 x Intel® SSD der Produktreihe DC P4510, 1 x Intel® SSD der Produktreihe DC S4510, CentOS 7.5* (Kernel 4.18 (elrepo)), BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, System-Produkttyp: Intel® Server-Mainboard S2600WFT. MySQL Server 8.0.13*, Sysbench 1.0.15*, konfiguriert für 70/30-Lese/Schreib-OLTP-Aufteilung (Online Transaction Processing) mit einer 100-GB-Datenbank. 30 % des Datenbankspeichers wurde MySQL zugewiesen (30 GB).

5

Die Leistungsergebnisse beruhen auf Tests vom Juli 2018 und spiegeln möglicherweise nicht alle öffentlich verfügbaren Sicherheitsupdates wider. Weitere Einzelheiten finden Sie in den veröffentlichten Konfigurationsdaten. Kein Produkt kann absolut sicher sein. Quelle: Intel. Systemkonfiguration: Intel® Server-Mainboard S2600WFT (Whitebox), 2 x Intel® Xeon® Gold-Prozessor 6154 mit 3,00 GHz und 36 virtuellen Kernen (vcores), 64 GB DDR4-DIMMs (synchron, 2666 MHz, 0,4 ns, 4 x 16 GB), 1 x Intel® Optane™ SSD der Produktreihe DC P4800X – 750 GB, NVMe*-PCIe* (NVM Express*/Peripheral Component Interconnect Express*), Firmwareversion: E2010324, 1 x Intel® SSD der Produktreihe DC P4500 (NVMe*-PCIe*, 4 TB, Firmwareversion: QDV10150), Intel® BIOS-Version: SE5C620.86B.00.01.0013.030920180427, CentOS 7.4* (Distribution mit Kernel 4.15.7). Siehe OpenJDK*-Info bei: OpenJDK. „JDK 10“. März 2018. https://openjdk.java.net/projects/jdk/10/.

6

Kosteneinsparungen im Bereich Energie, Kühlung und Konsolidierung. Basierend auf Festplatte: 7,2K RPM 4 TB HDD, AFR von 2,00 % und 7,7 W aktive Leistung, 24 Laufwerke in 2U (1971 W Gesamtleistung) https://www.seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-7-e8-data-sheet-DS1957-1-1709US-en_US.pdf; SSD: 22 W aktive Leistung, 44 % AFR, 32 Laufwerke in 1 HE (704 W Gesamtleistung), Kühlungskosten basierend auf Bereitstellung für 5 Jahre bei Kosten pro KWH von 1,58 USD und der Anzahl der zur Kühlung von 1 Watt 1,20 Watt, basierend auf 3,5" HDD 2 HE 24 Laufwerke und EDSFF 1 HE Lang 1 HE 32 Laufwerke. Hybridspeicher auf Basis der Intel® TLC SSD für Cache.

 

7

Sparen Sie bares Geld für den Ersatz. Berechnung: HDD: 2 % AFR x 256 Laufwerke x 5 Jahre = 25,6 Wechsel in 5 Jahren; SSD: 0,44 % AFR x 32 Laufwerke x 5 Jahre = 0,7 Wechsel in 5 Jahren.

 

8

Supermicro. „Die Systeme unterstützen mit vorderseitigem Hot-Swap-Zugang 32 EDSFF-Laufwerke mit insgesamt maximal 1 PB Kapazität als schnellen, latenzarmen NVMe*-Datenspeicher im 1-HE-Format.“ Quelle: „Supermicro läutet mit einer Produktreihe von 1-HE-All-Flash-NVMe-Systemen, die als Hochleistungs-Datenspeicher bis zu einem Petabyte skalierbar sind, eine neue Ära im Petascale-Computing ein.“ August 2018. https://www.supermicro.com/newsroom/pressreleases/2018/press180807_Petabyte_NVMe_1U.cfm. Bezieht sich auf SuperStorage SSG-136R-NR32JBF: https://www.supermicro.com/products/system/1U/136/SSG-136R-NR32JBF.cfm.