Intel® 22-nm-Technik

Der weltweit erste dreidimensionale Transistor, der für die Massenfertigung geeignet ist

3D, 22 nm: Eine neue Prozesstechnik kombiniert Leistung und Energieeffizienz in bislang unerreichter Weise

Intel hat eine grundlegend neue Technik für künftige Mikroprozessoren eingeführt: die mit der 22-nm-Prozesstechnik gefertigten 3D-Transistoren. Mit diesen neuen Transistoren folgt Intel weiterhin dem Moore‘schen Gesetz und sorgt dafür, dass die Geschwindigkeit, mit der technische Fortschritte erzielt werden, auch in den kommenden Jahren die Erwartungen der Verbraucher erfüllt.

Bislang waren Transistoren – die grundlegenden Bauelemente des Mikroprozessors – zweidimensional („Planartransistoren“). Der „dreidimensionale“ Tri-Gate-Transistor von Intel und die Massenproduktion dieser Halbleiter verändern die grundlegende Struktur von Computerchips gravierend. Hier erfahren Sie mehr über die Geschichte der Transistoren.

Dies bedeutet auch, dass Intel weiterhin an führender Position verschiedenste Geräte mit starker Leistung versorgen wird – von den weltweit schnellsten Supercomputern bis hin zu extrem kleinen mobilen Handhelds.

Kleiner ist besser

Wenn es darum geht, Verbrauchern mit dem Moore‘schen Gesetz Vorteile zu verschaffen, spielen die Größe und Struktur der Transistoren eine wesentliche Rolle. Je kleiner und energieeffizienter ein Transistor ist, desto besser. Mit einer Reihe von Weltpremieren erzielt Intel auch weiterhin bei seiner Fertigungstechnik prognostizierbare Verkleinerungen: 45 nm mit High-k/Metallgate 2007; 32 nm im Jahr 2009; und nun 22 nm mit dem weltweit ersten dreidimensionalen Transistor, der 2011 in Massenproduktion geht.

Mit einem kleineren 3D-Transistor kann Intel noch leistungsfähigere Prozessoren mit unglaublicher Energieeffizienz entwickeln. Die neue Technik ermöglicht innovative Mikroarchitekturen, System-on-Chip-Designs (SoC) und neue Produkte für unterschiedlichste Bereiche – angefangen bei Servern und PCs bis hin zu Smartphones und fortschrittlichen Verbraucherprodukten.

Dreidimensionale Transistoren

Beim „dreidimensionalen“ Tri-Gate-Transistor von Intel dehnt sich der Halbleiter in Form einer Finne senkrecht zur Grundfläche aus und ist von drei Gate-Elektroden umgeben. Das Ergebnis ist eine nie zuvor erreichte Kombination aus hoher Leistung und niedrigem Energieverbrauch. Intels neuer Transistor ist dafür ausgelegt, in Handheld-Geräten – etwa Smartphones und Tablets – durch einen besonders geringen Stromverbrauch einzigartige Vorteile bereitzustellen. Gleichzeitig sorgt er für verbesserte Leistungsmerkmale, die man normalerweise von Highend-Prozessoren erwarten würde.

Wegbereiter für innovative Prozessortechnik

Da die neuen Transistoren bei geringer Betriebsspannung so beeindruckend effizient sind, stehen dem Entwicklungsteam für Intel® Atom™ Prozessoren neue Architekturansätze für die Intel® Atom™ 22-nm-Mikroarchitektur offen. Das neue Design maximiert insbesondere die Vorteile der 3D-Tri-Gate-Transistortechnik, die sich durch einen extrem niedrigen Energieverbrauch auszeichnet. Zudem werden Intels künftige SoC-Produkte, die auf dreidimensionalen 22-nm-Tri-Gate-Transistoren basieren, einen Leerlaufverbrauch von unter 1 mW erzielen.

Intel untermauert seinen Führungsanspruch, wovon Benutzer weiterhin profitieren

Die Ende 2011 eingeführte dritte Generation der Intel® Core™ Prozessoren war der erste Chip aus der Großserienfertigung, bei dem 3D-Transistoren zum Einsatz kamen.

Mit der 22-nm-3D-Transistortechnik untermauert Intel seinen Führungsanspruch im Bereich der Computertechnik für Server, PCs, Notebooks und Handheld-Geräte. Und sowohl Verbraucher wie auch Unternehmen können davon ausgehen, dass ihnen eine Vielzahl flacher und kompakter Geräte in Zukunft noch mehr Rechen- und Grafikleistung sowie längere Akkulaufzeiten bereitstellen wird.

 

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